두께 15% 줄여 초슬림 스마트폰 탑재 가능…내년 양산 예정
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| ▲SK하이닉스가 개발완료한 321단 낸드 기반 UFS 4.1 설루션 제품 이미지/사진=SK하이닉스 제공 |
[소셜밸류=최연돈 기자] SK하이닉스가 세계 최고층 낸드 기술을 적용한 모바일용 메모리 솔루션 개발에 성공했다. 온디바이스(On-device) 인공지능(AI) 구현에 최적화된 제품으로, 글로벌 스마트폰 시장에서의 메모리 주도권 확보에 박차를 가하고 있다.
SK하이닉스는 22일, 321단 1Tb(테라비트) TLC(트리플레벨셀) 4D 낸드 플래시를 적용한 UFS 4.1 기반 모바일용 저장장치를 개발했다고 밝혔다. 이번 제품은 업계 최고 수준의 순차 읽기 속도(최대 4300MB/s)와 저전력 특성을 갖춘 것이 특징이다.
회사 측은 “온디바이스 AI는 대용량 데이터를 실시간으로 처리해야 하므로, 이를 구현하기 위한 낸드 메모리는 높은 성능과 에너지 효율을 동시에 갖춰야 한다”며 “이번 신제품은 AI 기반 스마트폰 환경에 최적화된 설루션”이라고 설명했다.
실제 성능에서도 개선이 두드러진다. 기존 238단 제품 대비 랜덤 읽기 성능은 15%, 쓰기 성능은 40% 향상됐고, 전력 효율은 7% 개선됐다. 제품 두께도 기존 1mm에서 0.85mm로 줄어, 초슬림 플래그십 스마트폰에도 쉽게 탑재 가능하다.
SK하이닉스는 해당 제품을 512GB, 1TB 두 가지 용량으로 개발했으며, 올해 고객사 인증을 거쳐 내년 1분기부터 양산에 돌입할 예정이다.
안현 SK하이닉스 개발총괄(CDO) 사장은 “이번 제품을 시작으로 321단 4D 낸드를 적용한 소비자용 및 데이터센터용 SSD 제품도 연내 개발을 마칠 계획”이라며 “낸드 부문에서도 AI 기술 경쟁력을 갖춘 제품군을 확보해, ‘풀스택 AI 메모리 프로바이더’로서의 위상을 공고히 하겠다”고 밝혔다.
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