375단 낸드 기반 eSSD 내년 상반기 양산…8월부터 CSP 샘플 공급
[소셜밸류=최연돈 기자] SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI) 메모리 아키텍처를 제시하는 등 반도체 기술 리더십 확보에 힘을 쏟고 있다.
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| ▲FMS 2026 내 SK하이닉스 전시 부스 전경/사진=SK하이닉스 제공 |
SK하이닉스는 지난 4일부터 6일까지 미국 캘리포니아 산타클라라에서 열린 세계 최대 규모의 메모리·스토리지 전시 컨퍼런스 ‘FMS 2026’에서 차세대 AI 메모리 기술과 제품을 공개했다고 7일 밝혔다.
SK하이닉스는 행사 첫날 기조연설에서 AI가 학습에서 대규모 추론과 에이전틱 AI로 확장되면서 단일 메모리만으로는 급증하는 데이터를 효과적으로 처리하기 어렵다고 진단했다. 이에 속도와 용량, 비용이 다른 메모리를 계층별로 연결해 최적화하는 계층형 메모리를 차세대 AI 인프라의 핵심 아키텍처로 제시했다.
김천성 SK하이닉스 솔루션개발 부문장은 “AI가 학습 중심에서 대규모 추론, 나아가 에이전틱 AI로 확장되면서 인프라 경쟁력은 개별 메모리 제품의 성능만으로 결정되지 않는다”며 “HBM(고대역폭메모리), D램, 낸드, SSD(솔리드스테이트드라이브) 등 각 메모리 계층을 어떤 위치에 배치하고 어떻게 연결해 데이터 이동을 최소화하느냐가 전체 효율을 좌우하게 될 것”이라고 말했다.
행사 마지막 날에는 차세대 낸드 솔루션인 고대역폭플래시(HBF)의 개발 방향도 공개했다.
HBF는 실리콘관통전극(TSV)을 적용해 기존 스토리지의 대용량 특성과 D램에 가까운 고대역폭을 동시에 구현하는 차세대 메모리다. SK하이닉스는 HBF를 HBM과 SSD 사이에 위치하는 새로운 메모리 계층으로 육성하고 주요 파트너와 기술 확보 및 표준화를 추진하고 있다.
전시 부스에서는 HBM4E 48GB 12단, HBM4 48GB 16단, HBM3E 36GB 12단과 AI 서버용 저전력 D램 모듈인 소캠(SOCAMM)2 등을 선보였다.
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| ▲파트너십존에서 HBM4 모형과 Vera Rubin 모형을 살펴보고 있는 관람객들/사진=SK하이닉스 제공 |
낸드 분야에서는 고용량 기업용 SSD인 PS1101 라인업을 공개했다. 해당 제품은 기존 176단 제품보다 성능을 약 55% 높인 쿼드러플레벨셀(QLC) 기반 제품으로, SK하이닉스는 이달부터 주요 클라우드서비스제공업체를 대상으로 샘플 공급을 시작할 예정이다.
375단 4D 낸드도 전시했다. 이 제품은 웨이퍼 간 접합 기술을 적용한 SK하이닉스의 첫 낸드 제품으로 이전 세대보다 전력 대비 성능을 2.5배 높였다.
SK하이닉스는 375단 4D 낸드를 기반으로 한 고성능 eSSD를 내년 상반기부터 양산할 예정이다. AI 데이터센터에 필요한 데이터 입출력 성능(IOPS)과 고대역폭, 어댑티브 미디어 스토리지 등 특화 기능도 고객사와 공동 개발하고 있다.
컴퓨트익스프레스링크(CXL) 기반 차세대 메모리 기술도 공개했다. 여러 CXL 메모리를 하나의 풀(Pool)로 묶어 여러 서버가 공유하는 풀드 메모리를 활용해 기존 네트워크 기반 AI 에이전트 시스템보다 성능을 높이는 기술을 시연했다.
D램과 SSD를 결합한 CXL 기반 하이브리드 메모리 솔루션 ‘CMM-하이브리드’와 메모리에 연산 기능을 탑재한 ‘CMM-Ax’도 선보였다. 대규모언어모델(LLM)의 장문맥(Long-context) 처리를 효율적으로 가속하는 기술도 시연했다.
SK하이닉스는 “이번 FMS 2026을 통해 차세대 AI 메모리 아키텍처의 방향성을 제시하고, HBM부터 서버 D램, 낸드, CXL에 이르기까지 AI 인프라 전 계층을 아우르는 SK하이닉스의 기술 역량을 업계에 널리 알릴 수 있었다”며 “앞으로도 고객과 파트너들이 필요로 하는 최적의 AI 메모리 설루션을 선제적으로 개발하고 제공해 나가겠다”고 말했다.
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