HBM 넘어 HBF·3D 적층 D램까지…'풀스택 AI 메모리' 비전 제시
[소셜밸류=최연돈 기자] 최태원 SK그룹 회장이 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와 돈돈한 관계를 이어가고 있다. 이를 통해 차세대 인공지능(AI) 생태계에서도 핵심 기업으로서의 입지를 확고히 하고 있다.
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| ▲GTC 타이페이 2026서 젠슨 황 CEO의 기조연설을 참관 중인 최태원 SK그룹 회장/사진=SK하이닉스 제공 |
SK하이닉스는 최태원 회장이 1일(현지시간) 대만에서 개막한 'GTC 타이페이 2026'에 참석해 엔비디아 젠슨 황 최고경영자(CEO)의 기조연설을 참관하고 주요 파트너사들과 협력 방안을 논의했다고 밝혔다.
최 회장은 지난 3월 미국 새너제이에서 열린 GTC 2026에 이어 이번 행사에도 직접 참석했다. SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장과 함께 행사장을 찾은 최 회장은 AI 기술 변화와 차세대 메모리 시장 동향을 점검했다.
젠슨 황 CEO는 기조연설에서 그래픽처리장치(GPU) 기반 가속 컴퓨팅 발전 방향과 차세대 AI 플랫폼 로드맵을 소개했다. 특히 차세대 AI 반도체 플랫폼인 '베라 루빈(Vera Rubin)' 양산 계획과 아시아·태평양 지역 파트너십 현황을 공개했다.
최 회장은 연설을 통해 AI 생태계 재편 흐름 속에서 SK하이닉스가 수행해야 할 역할을 점검하고 고대역폭메모리(HBM)을 중심으로 주요 고객사와 협력을 강화하는 동시에 차세대 메모리 기술 확보에 나서겠다는 방향성을 재확인했다.
SK하이닉스는 이번 행사에서 '풀스택 AI 메모리 크리에이터(Full-Stack AI Memory Creator)' 비전도 제시했다.
회사는 표준형 HBM 공급을 넘어 고객의 AI 시스템 설계 단계부터 참여하는 맞춤형 메모리 솔루션 전략을 추진한다. 고객 맞춤형 HBM인 'cHBM(Customized HBM)'을 비롯해 D램과 낸드를 아우르는 통합 솔루션을 통해 AI 시스템 성능과 효율을 높인다는 계획이다.
차세대 기술 개발 방향도 공개했다. SK하이닉스는 HBM4에 적용한 기술 혁신을 기반으로 HBF(High Bandwidth Flash), 3D Stacked DRAM on Logic 등 차세대 메모리 기술 개발을 이어갈 방침이다.
HBF는 AI 연산 과정에서 발생하는 대규모 데이터를 고속으로 처리하기 위한 차세대 낸드 솔루션이다. 3D Stacked DRAM on Logic은 로직 반도체 위에 D램을 직접 적층하는 기술로 데이터 처리 지연을 줄이고 전력 효율을 높일 수 있는 차세대 메모리 기술로 꼽힌다.
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| ▲GTC 2026 당시, SK하이닉스 전시 부스를 찾은 엔비디아 젠슨 황 CEO(왼쪽)와 최태원 SK그룹 회장./사진=SK하이닉스 제공 |
최 회장과 젠슨 황 CEO의 협력도 이어지고 있다.
두 사람은 지난 2월 미국 실리콘밸리에서 이른바 '치킨회동'으로 만나 AI 인프라 협력 방안을 논의한 데 이어 3월 GTC 2026에서도 회동한 바 있다. SK하이닉스는 이번 GTC 타이페이 참석 역시 양사가 추진 중인 AI 인프라 협력 로드맵을 점검하는 연장선이라고 설명했다.
곽노정 사장을 비롯한 SK하이닉스 경영진도 주요 고객사들과 만나 차세대 AI 메모리 협력 방안을 논의할 예정이다.
한편, SK하이닉스는 지난 3월 GTC 2026에서 차세대 HBM4와 AI 서버용 메모리 기술을 공개하며 엔비디아를 비롯한 글로벌 AI 기업들과 협력을 확대하겠다는 계획을 밝힌 바 있다.
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