2028년 업계 최초 D램 제조에 하이 NA EUV 도입 추진
[소셜밸류=최연돈 기자] 삼성전자가 세계 최대의 반도체용 노광장비 업체인 네덜란드 ASML과 협력을 확대한다.
삼성전자는 ASML과 공동으로 차세대 12인치 포토 마스크를 개발하고, 2028년까지 첨단 D램 제조에 차세대 노광설비인 하이 NA 극자외선(EUV)를 도입한다.
삼성전자는 ASML이 주도하는 ‘대형 마스크 컨소시엄’에 참여해 차세대 12인치 포토 마스크를 공동 개발한다고 8일 밝혔다.
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| ▲삼성전자 서초사옥 /사진=연합뉴스 제공 |
대형 마스크 컨소시엄은 현재 반도체 노광설비에 사용되는 6인치 포토 마스크를 12인치로 전환하기 위한 협의체다. 노광설비와 포토 마스크 관련 글로벌 기술 동향을 공동으로 살피고 12인치 포토 마스크 개발을 위한 연구와 표준 개발을 추진한다.
포토 마스크는 미세 회로 패턴을 새긴 정밀한 틀로, 노광설비에서 빛을 이용해 웨이퍼에 설계된 회로를 구현하는 데 사용된다. 회로를 얼마나 정밀하게 새길 수 있는지가 반도체 성능과 수율에 영향을 준다.
기존 반도체 노광 공정에서는 6인치 마스크가 사용돼 왔다. 하이 NA EUV와 함께 12인치 마스크를 적용하면 회로를 나눠 새긴 뒤 연결하는 스티칭 제약을 줄일 수 있어 팹 생산성을 높이고 칩 제조 비용을 낮출 수 있다.
특히 수백억개의 트랜지스터를 정밀하게 배치해야 하는 첨단 반도체에서는 12인치 마스크를 통해 하이 NA EUV 설비 활용도를 높일 수 있다.
삼성전자는 메모리와 파운드리 제조 과정에서 축적한 EUV 적용 경험을 바탕으로 12인치 포토 마스크 개발과 관련 인프라 구축에 참여할 계획이다.
삼성전자는 ASML과 2028년까지 첨단 D램 제조에 차세대 노광설비인 하이 NA EUV를 도입하기 위한 협력도 강화한다.
하이 NA EUV는 기존 EUV보다 높은 개구수(NA)를 적용해 더 미세한 회로를 구현할 수 있도록 한 차세대 노광 기술이다. 삼성전자는 이를 통해 D램 미세화 로드맵을 연장하고 공정 단순화와 생산성 향상을 추진할 계획이다.
회사 측은 2028년 업계 최초로 차세대 D램 제조에 하이 NA EUV를 적용한다는 목표다. 파운드리 공정에 이어 첨단 메모리 분야에도 차세대 노광 기술을 확대 적용하게 된다.
삼성전자와 ASML은 첨단 인공지능(AI) 반도체 제조에 필요한 성능과 효율을 높이기 위한 기술 개발과 도입도 앞당길 계획이다.
전영현 삼성전자 대표이사 부회장은 “AI시대의 도래는 반도체 산업 패러다임을 바꾸고 있으며 밸류체인 전반에서 기술 혁신의 중요성을 더욱 높이고 있다”며 “삼성전자는 혁신 기술과 강한 파트너십을 바탕으로 파운드리와 메모리를 포함한 첨단 반도체 제조 리더십을 이어가고 ASML과의 협력을 한층 강화함으로써 ‘넥스트 AI’를 위한 기술 기반을 마련해 나갈 것”이라고 밝혔다.
크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 “삼성전자는 오랜 기간 ASML의 가장 중요한 혁신 파트너 중 하나로 그동안 현대 반도체 제조의 기반이 되는 기술을 함께 발전시켜 왔다”며 “AI가 이끄는 새로운 시대를 맞이하여 삼성전자와 함께 차세대 반도체 제조를 위한 혁신을 이끌어 가기를 기대한다”고 말했다.
양사는 이번 협력을 계기로 첨단 메모리와 차세대 제조 방식 등에서도 추가 협력 기회를 지속적으로 모색할 예정이다.
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